-
GE IB0912M500 RF Power Transistor Technical Specifications Frequency range: 960 MHz to 1.215 GHz Output power: 500W (pulsed) Voltage: 50V Current: 20A Gain: 13dB typical Efficiency: 60% Weight: 0.01kg (10 grams) Package: Ceramic/metal flange Key Features Military-grade reliability High power density Gold metallization Hermetic...
در خبرنامه ما مشترک شوید
آخرین به روز رسانی ها را در مورد محصولات جدید و فروش های آینده دریافت کنید