IC660ELB912 I/O Network Daughterboard GE

IC660ELB912 µGENI Şəbəkə İnterfeysi Qız Örtüyü

Əsas Texniki Xüsusiyyətlər

Gərginlik: 5V DC ±5%

Cərəyan: 400mA (tək), 1.5A maksimum (ikiqat)

Yaddaş: 16KB paylaşılan RAM

Baud sürətləri: 38.4K/76.8K/153.6K standart/uzadılmış

Dəstəklənən cihazlar: hər magistralda 30

Temperatur diapazonu: 0°C-dən 60°C-ə qədər (işləmə)

Model İyerarxiyası

IC660ELB912 (Əsas model)

IC660ELB912K (Dəst versiyası)

IC660ELB912R (Yenilənmiş)

IC660ELB912T (Sınaqdan keçirilmiş istifadə olunmuş)

Sənaye Həlləri

Ənənəvi sistemlərin modernləşdirilməsi

Səs-küyə davamlı zavod əlaqələri

Çoxkontroller koordinasiyası

Paylanmış I/O idarəetməsi

Avadanlıq monitorinq şəbəkələri

Əsas Üstünlüklər

Host prosessorun yüklənməsini aradan qaldırır

Real vaxt I/O məlumat şəkillərini saxlayır

Daxili səhv aşkarlama sistemi

İki prosessorlu arxitektura

Genius I/O ilə geriyə uyğunluq

Quraşdırma Qeydləri

Tək yuvalı IC660ELB921 və ya iki yuvalı IC660ELB922 üçün

Hava axını üçün 1/8" boşluq tələb olunur

Yalnız künc arakəsmələri ilə montaj edin

Yapışdırıcılar qadağandır

Yüksək gərginlik xətlərindən uzaq saxlayın

Uyğunluq

IBM PC/AT/XT sistemləri

Genius I/O magistral cihazları

ISA magistral arxitekturası

Ənənəvi GE Fanuc/Emerson sistemləri

DOS əsaslı idarəetmə proqramı

Qablaşdırma Məzmunu

µGENI qız örtüyü

Montaj avadanlığı dəsti

Texniki istinad kitabçası

DIP açar konfiqurasiya bələdçisi

12 aylıq zəmanət sənədi

Qlobal Göndərmə

Fedex Express (1-3 gün)

UPS Worldwide Saver

DHL Prioritet

İqtisadi yük daşımaları mövcuddur