IC660ELB912 I/O Network Daughterboard GE

لوحة واجهة الشبكة IC660ELB912 µGENI

المواصفات الأساسية

الجهد: 5 فولت تيار مستمر ±5%

التيار: 400 مللي أمبير (مفرد)، 1.5 أمبير كحد أقصى (مزدوج)

الذاكرة: 16 كيلوبايت رام مشتركة

معدلات البود: 38.4K/76.8K/153.6K قياسي/موسع

الأجهزة المدعومة: 30 لكل ناقل

نطاق درجة الحرارة: 0°C إلى 60°C (تشغيل)

تسلسل النماذج

IC660ELB912 (النموذج الأساسي)

IC660ELB912K (نسخة المجموعة)

IC660ELB912R (مجددة)

IC660ELB912T (مستخدمة مختبرة)

الحلول الصناعية

تحديث أنظمة قديمة

اتصالات المصنع المقاومة للضوضاء

تنسيق متعدد المتحكمات

إدارة الإدخال/الإخراج الموزعة

شبكات مراقبة المعدات

المزايا الرئيسية

يقضي على عبء المعالج المضيف

يحافظ على صور بيانات الإدخال/الإخراج في الوقت الحقيقي

نظام كشف الأخطاء مدمج

هيكلية المعالج المزدوج

متوافق مع Genius I/O سابقاً

ملاحظات التثبيت

للوحة IC660ELB921 ذات الفتحة المفردة أو IC660ELB922 ذات الفتحتين

يتطلب 1/8" فراغ لتدفق الهواء

يتم التثبيت باستخدام فواصل الزوايا فقط

لا يسمح باستخدام المواد اللاصقة

يُحفظ بعيداً عن خطوط الجهد العالي

التوافق

أنظمة IBM PC/AT/XT

أجهزة ناقل Genius I/O

هيكلية ناقل ISA

أنظمة GE Fanuc/Emerson القديمة

برمجيات التحكم المعتمدة على DOS

محتويات العبوة

لوحة µGENI الفرعية

عدة تركيب الأجهزة

دليل مرجعي تقني

دليل تكوين مفتاح DIP

وثيقة ضمان لمدة 12 شهراً

الشحن العالمي

Fedex Express (1-3 أيام)

UPS Worldwide Saver

DHL Priority

الشحن الاقتصادي متاح