IC660ELB912 I/O Network Daughterboard GE

Tarjeta hija de interfaz de red IC660ELB912 µGENI

Especificaciones principales

Voltaje: 5V CC ±5%

Corriente: 400mA (único), 1.5A máx. (doble)

Memoria: RAM compartida de 16KB

Velocidades de baudios: 38.4K/76.8K/153.6K estándar/extendido

Dispositivos soportados: 30 por bus

Rango de temperatura: 0°C a 60°C (operativo)

Jerarquía de modelos

IC660ELB912 (Modelo base)

IC660ELB912K (Versión kit)

IC660ELB912R (Reacondicionado)

IC660ELB912T (Usado probado)

Soluciones industriales

Modernización de sistemas heredados

Comunicaciones de fábrica resistentes al ruido

Coordinación multi-controlador

Gestión distribuida de E/S

Redes de monitoreo de equipos

Ventajas clave

Elimina la sobrecarga del procesador anfitrión

Mantiene imágenes de datos de E/S en tiempo real

Sistema incorporado de detección de fallos

Arquitectura de procesador dual

Compatible hacia atrás con Genius I/O

Notas de instalación

Para IC660ELB921 de ranura única o IC660ELB922 de ranura doble

Requiere 1/8" de espacio para flujo de aire

Montar solo con separadores en las esquinas

No se permiten adhesivos

Mantener alejado de líneas de alto voltaje

Compatibilidad

Sistemas IBM PC/AT/XT

Dispositivos de bus Genius I/O

Arquitectura de bus ISA

Sistemas heredados GE Fanuc/Emerson

Software de control basado en DOS

Contenido del paquete

Tarjeta hija µGENI

Kit de hardware de montaje

Manual de referencia técnica

Guía de configuración de interruptores DIP

Documento de garantía de 12 meses

Envío global

Fedex Express (1-3 días)

UPS Worldwide Saver

DHL Priority

Flete económico disponible